型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IRFB9N60A |
Vishay Siliconix | TO-220-3 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB 参考包装数量:1000 参考包装形式:管件 |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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IRFB9N60APBF | Vishay Siliconix | TO-220-3 | 1985 | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
IRFB9N65A | Vishay Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IRFB9N65APBF | Vishay Siliconix | TO-220-3 | 580 | MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
IRFB9N30APBF | Vishay Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IRFB9N30A | Vishay Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IRFB812PBF | International Rectifier | TO-220-3 | 505 | MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |