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IPP029N06N

Infineon Technologies TO-220-3 225
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简述:MOSF N CH 60V 24A TO220
参考包装数量:250
参考包装形式:散装

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IPP029N06N参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):24A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.9 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 75µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4100pF @ 30V
功率 - 最大值:3W
安装类型:通孔

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