型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPP032N06N3G |
Infineon Technologies | TO-220-3 | 188 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 参考包装数量:500 参考包装形式:管件 |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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IPP034N03LG | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
IPP034NE7N3G | Infineon Technologies | TO-220-3 | 368 | MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
IPP037N06L3G | Infineon Technologies | TO-220-3 | 2925 | MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
IPP030N10N3G | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
IPP029N06N | Infineon Technologies | TO-220-3 | 225 | MOSF N CH 60V 24A TO220 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
IPP028N08N3G | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |