| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPP024N06N3G |
Infineon Technologies | TO-220-3 | 1416 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 参考包装数量：500 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IPP028N08N3G | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPP029N06N | Infineon Technologies | TO-220-3 | 225 | MOSF N CH 60V 24A TO220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| IPP030N10N3G | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPP023NE7N3G | Infineon Technologies | TO-220-3 | 202 | MOSFET N-CH 75V 120A TO220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPP023N04NG | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPP020N06N | Infineon Technologies | TO-220-3 | 230 | MOSF N CH 60V 29A TO220-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
