收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPP020N06N
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IPP020N06N

Infineon Technologies TO-220-3 230
询价QQ:
简述:MOSF N CH 60V 29A TO220-3
参考包装数量:250
参考包装形式:散装

与IPP020N06N相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPP023N04NG Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP023NE7N3G Infineon Technologies TO-220-3 202 MOSFET N-CH 75V 120A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP024N06N3G Infineon Technologies TO-220-3 1416 MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP015N04NG Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IP-NIOS Altera IP NIOS II MEGACORE ...
IP-NCO Altera IP NCO COMPILER ...

IPP020N06N参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):29A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 143µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7800pF @ 30V
功率 - 最大值:3W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别