收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPP015N04NG
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IPP015N04NG

Infineon Technologies TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

与IPP015N04NG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPP020N06N Infineon Technologies TO-220-3 230 MOSF N CH 60V 29A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPP023N04NG Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPP023NE7N3G Infineon Technologies TO-220-3 202 MOSFET N-CH 75V 120A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IP-NIOS Altera IP NIOS II MEGACORE ...
IP-NCO Altera IP NCO COMPILER ...
IPM6220ACAZ-T Intersil 24-SSOP(0.154",3.90mm 宽) IC REG 5OUT BUCK/LDO SYNC 24SSOP 拓扑:降压(降压)同步(3),线性(LDO)(2) 功能:任何功能 输出数:5 ...

IPP015N04NG参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):120A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.5 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):250nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):20000pF @ 20V
功率 - 最大值:250W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别