收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > HGTP12N60A4D
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

HGTP12N60A4D

Fairchild Semiconductor TO-220-3 1310+2000
询价QQ:
简述:IGBT N-CH SMPS 600V 54A TO220AB
参考包装数量:400
参考包装形式:管件

与HGTP12N60A4D相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
HGTP12N60C3 Fairchild Semiconductor TO-220-3 IGBT SMPS N-CH 600V 24A TO-220AB IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
HGTP12N60C3D Fairchild Semiconductor TO-220-3 0+1200 IGBT SMPS N-CH 600V 24A TO-220AB IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
HGTP20N60A4 Fairchild Semiconductor TO-220-3 770+400 IGBT N-CH SMPS 600V 70A TO220AB IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
HGTP12N60A4 Fairchild Semiconductor TO-220-3 IGBT N-CH SMPS 600V 54A TO220AB IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
HGTP10N120BN Fairchild Semiconductor TO-220-3 783 IGBT NPT N-CH 1200V 35A TO-220AB IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge,...
HGTG7N60A4D Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 IGBT N-CH SMPS 600V 34A TO247 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...

HGTP12N60A4D参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.7V @ 15V,12A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):54A
功率 - 最大:167W
输入类型:标准
安装类型:通孔

最近更新

型号类别