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HGTP10N120BN

Fairchild Semiconductor TO-220-3 783
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简述:IGBT NPT N-CH 1200V 35A TO-220AB
参考包装数量:400
参考包装形式:管件

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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HGTP10N120BN参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.7V @ 15V,10A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):35A
功率 - 最大:298W
输入类型:标准
安装类型:通孔

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