型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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FDT55AN06LA0 |
Fairchild Semiconductor | TO-261-4,TO-261AA | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4 参考包装数量:1 参考包装形式:剪切带 (CT) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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FDT86102LZ | Fairchild Semiconductor | TO-261-4,TO-261AA | MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
FDT86106LZ | Fairchild Semiconductor | TO-261-4,TO-261AA | 2500+112000 | MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
FDT86113LZ | Fairchild Semiconductor | TO-261-4,TO-261AA | MOSFET N-CH 100V DUAL LL SOT-223 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
FDT461N | Fairchild Semiconductor | TO-261-4,TO-261AA | MOSFET N-CH 100V 0.54A SOT-223 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
FDT459N | Fairchild Semiconductor | TO-261-4,TO-261AA | 8000 | MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT-223 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
FDT458P | Fairchild Semiconductor | TO-261-4,TO-261AA | 4440 | MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT-223 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |