| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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FDT86113LZ |
Fairchild Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 100V DUAL LL SOT-223 参考包装数量：4000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| FDT86244 | Fairchild Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | 0+12000 | MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| FDT86246 | Fairchild Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| FDT86256 | Fairchild Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | 4000+8000 | MOSFET N-CH 150V 1.2A SOT-223-4 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| FDT86106LZ | Fairchild Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | 2500+112000 | MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| FDT86102LZ | Fairchild Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| FDT55AN06LA0 | Fairchild Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
