收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDT461N
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDT461N

Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 0.54A SOT-223
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDT461N相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDT55AN06LA0 Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDT86102LZ Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDT86106LZ Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA 2500+112000 MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDT459N Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA 8000 MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT-223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDT458P Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA 4440 MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT-223 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDT457N Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA 2500 MOSFET N-CH 30V 5A SOT-223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

FDT461N参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):540mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2 欧姆 @ 540mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):74pF @ 25V
功率 - 最大值:1.13W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别