| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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FDN359AN |
Fairchild Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3 参考包装数量：1 参考包装形式：剪切带 (CT) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| FDN359BN | Fairchild Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| FDN359BN_F095 | Fairchild Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 15000 | MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| FDN360P | Fairchild Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 3000 | MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| FDN358P | Fairchild Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 6000 | MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| FDN357N | Fairchild Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 3000 | MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| FDN352AP | Fairchild Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 66000 | MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
