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FDN352AP

Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 66000
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简述:MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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FDN352AP参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):180 毫欧 @ 1.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):150pF @ 15V
功率 - 最大值:460mW
安装类型:表面贴装

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