| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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FDN359BN_F095 |
Fairchild Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 15000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| FDN360P | Fairchild Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 3000 | MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| FDN361AN | Fairchild Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| FDN361BN | Fairchild Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 9000 | MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| FDN359BN | Fairchild Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| FDN359AN | Fairchild Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| FDN358P | Fairchild Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 6000 | MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
