收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDMC8854
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDMC8854

Fairchild Semiconductor 8-PowerVDFN 3000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 15A POWER33
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDMC8854相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDMC8878 Fairchild Semiconductor 8-PowerVDFN 9134 MOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDMC8882 Fairchild Semiconductor 8-MLP,Power33 0+117000 MOSFET N-CH 30V 8-MLP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDMC8884 Fairchild Semiconductor 8-MLP,Power33 39000 MOSFET N-CH 30V 9A POWER33 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDMC8678S Fairchild Semiconductor 8-PQFN,Power33 MOSFET N-CH 30V 15A POWER33 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDMC8676 Fairchild Semiconductor 8-PQFN,Power33 MOSFET N-CH 30V 16A POWER33 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDMC86520L Fairchild Semiconductor 8-PowerWDFN 3000 MOSFET N-CH 60V 13.5A 8MLP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

FDMC8854参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):15A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5.7 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):57nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3405pF @ 10V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别