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EM6M2T2R

Rohm Semiconductor SOT-563,SOT-666 8000
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简述:MOSFET N/P-CH 20V 200MA EMT6
参考包装数量:8000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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EM6M2T2R参数资料

PDF资料下载:

FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:200mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1 欧姆 @ 200mA,4V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
输入电容 (Ciss) @ Vds:25pF @ 10V
功率 - 最大:150mW
安装类型:表面贴装

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