| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
EM6K7T2R |
Rohm Semiconductor | SOT-563，SOT-666 | 32000 | 询价QQ： |
|
| 简述：MOSFET 2N-CH 20V 200MA EMT6 参考包装数量：8000 参考包装形式：带卷 (TR) |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| EM6M1T2R | Rohm Semiconductor | SOT-563，SOT-666 | 24000 | MOSFET N/P-CH 30V .1A EMT6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| EM6M2T2R | Rohm Semiconductor | SOT-563，SOT-666 | 8000 | MOSFET N/P-CH 20V 200MA EMT6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| EM711710 | Cooper Bussmann | CONN BARRIER BLOCK 10CIRC 3.81MM | ... | ||
| EM6K6T2R | Rohm Semiconductor | SOT-563，SOT-666 | 24447 | MOSFET 2N-CH 20V 300MA EMT6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| EM6K31T2R | Rohm Semiconductor | SOT-563，SOT-666 | TRANS MOSFET N-CH 60V 0.25A EMT6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| EM6K1T2R | Rohm Semiconductor | SOT-563，SOT-666 | 16000 | MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
