| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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EM6M1T2R |
Rohm Semiconductor | SOT-563，SOT-666 | 24000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N/P-CH 30V .1A EMT6 参考包装数量：8000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| EM6M2T2R | Rohm Semiconductor | SOT-563，SOT-666 | 8000 | MOSFET N/P-CH 20V 200MA EMT6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| EM711710 | Cooper Bussmann | CONN BARRIER BLOCK 10CIRC 3.81MM | ... | ||
| EM712710 | Cooper Bussmann | CONN BARRIER BLOCK 10CIRC 3.81MM | ... | ||
| EM6K7T2R | Rohm Semiconductor | SOT-563，SOT-666 | 32000 | MOSFET 2N-CH 20V 200MA EMT6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| EM6K6T2R | Rohm Semiconductor | SOT-563，SOT-666 | 24447 | MOSFET 2N-CH 20V 300MA EMT6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| EM6K31T2R | Rohm Semiconductor | SOT-563，SOT-666 | TRANS MOSFET N-CH 60V 0.25A EMT6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
