收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > DMP4015SK3-13
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

DMP4015SK3-13

Diodes Inc TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2500
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 40V 14A TO252 DPAK
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与DMP4015SK3-13相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
DMP4015SPS-13 Diodes Inc 8-PowerTDFN 2500 MOSFET P-CH 40V 8.5A POWERDI FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMP4025LK3-13 Diodes Inc * MOSFET P-CH 40V 6.7A TO252 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMP4025LSS-13 Diodes Inc * MOSFET P CH 40V 6A SO-8 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMP31D0UFB4-7B Diodes Inc 3-XFDFN 19590 MOSF P CH 30V 540MA X2-DFN1006-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMP3160L-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 15000 MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMP3130L-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 12000 MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT-23 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

DMP4015SK3-13参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):14A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):11 毫欧 @ 9.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):47.5nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4234pF @ 20V
功率 - 最大值:1.7W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别