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DMP31D0UFB4-7B

Diodes Inc 3-XFDFN 19590
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简述:MOSF P CH 30V 540MA X2-DFN1006-3
参考包装数量:1
参考包装形式:

与DMP31D0UFB4-7B相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
DMP4015SK3-13 Diodes Inc TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2500 MOSFET P-CH 40V 14A TO252 DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMP4015SPS-13 Diodes Inc 8-PowerTDFN 2500 MOSFET P-CH 40V 8.5A POWERDI FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMP4025LK3-13 Diodes Inc * MOSFET P-CH 40V 6.7A TO252 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMP3160L-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 15000 MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMP3130L-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 12000 MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT-23 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMP3105LVT-7 Diodes Inc SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 3000 MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT26 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

DMP31D0UFB4-7B参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):540mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1 欧姆 @ 400mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):76pF @ 15V
功率 - 最大值:460mW
安装类型:表面贴装

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