型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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DMN2027LK3-13 |
Diodes Inc | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 2500 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 20V 11.6A DPAK 参考包装数量:2500 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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DMN2028USS-13 | Diodes Inc | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 2500 | MOSFET N-CH 20V 7.3A SO8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
DMN2040LSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.0A 8-SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
DMN2040LTS-13 | Diodes Inc | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) | MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
DMN2023LSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | MOSFET N-CH 8-SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
DMN2020LSN-7 | Diodes Inc | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 9654 | MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
DMN2019UTS-13 | Diodes Inc | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8 | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |