| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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DMN2023LSD-13 |
Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 8-SOIC 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| DMN2027LK3-13 | Diodes Inc | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2500 | MOSFET N-CH 20V 11.6A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMN2028USS-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET N-CH 20V 7.3A SO8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMN2040LSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.0A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMN2020LSN-7 | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 9654 | MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMN2019UTS-13 | Diodes Inc | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMN2016UTS-13 | Diodes Inc | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 5000 | MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
