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DMN2004DWK-7

Diodes Inc 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 27187
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简述:MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-363
参考包装数量:1
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与DMN2004DWK-7相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
DMN2004K-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 13098 MOSFET N-CH 20V 540MA SOT23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN2004VK-7 Diodes Inc SOT-563,SOT-666 6000 MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-563 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
DMN2004WK-7 Diodes Inc SC-70,SOT-323 18000 MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN2004DMK-7 Diodes Inc SOT-23-6 MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-26 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
DMN10H170SK3-13 Diodes Inc TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N CH 100V 12A TO252 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
DMN1019UFDE-7 Diodes Inc 6-UDFN MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

DMN2004DWK-7参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:540mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:550 毫欧 @ 540mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
输入电容 (Ciss) @ Vds:150pF @ 16V
功率 - 最大:200mW
安装类型:表面贴装

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