收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > CPH6337-TL-E
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

CPH6337-TL-E

ON Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 0+3000
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与CPH6337-TL-E相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
CPH6341-TL-E ON Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 0+144000 MOSFET P-CH 30V 5A CPH6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
CPH6347-TL-H ON Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 0+21000 MOSFET P-CH 20V 6A CPH6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
CPH6350-TL-E ON Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 0+18000 MOSFET P-CH 30V 6A CPH6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
CPH6311-TL-E SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET P-CH 20V 5A CPH6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
CPH6223-TL-E ON Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 0+18000 TRANS NPN BIPO 50V 3A CPH6 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):3A 电压 - 集电极发...
CPH6153-TL-E ON Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 0+3000 TRANS PNP BIPO 3A 20V CPH6 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):3A 电压 - 集电极发...

CPH6337-TL-E参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):70 毫欧 @ 1.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):405pF @ 6V
功率 - 最大值:1.6W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别