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CPH3360-TL-H

ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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简述:MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
CPH3427-TL-E SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation SC-96 MOSFET N-CH 100V 1A CPH3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
CPH3430-TL-E SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation SC-96 MOSFET N-CH 60V 2A CPH3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
CPH3442-TL-E SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation SC-96 MOSFET N-CH 30V 6.5A CPH3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
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CPH3360-TL-H参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):303 毫欧 @ 800mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):82pF @ 10V
功率 - 最大值:900mW
安装类型:表面贴装

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