收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > CPH3356-TL-H
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

CPH3356-TL-H

ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与CPH3356-TL-H相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
CPH3360-TL-H ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
CPH3427-TL-E SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation SC-96 MOSFET N-CH 100V 1A CPH3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
CPH3430-TL-E SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation SC-96 MOSFET N-CH 60V 2A CPH3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
CPH3355-TL-H ON Semiconductor SC-96 MOSFET P-CH 30V 2.5A CPH3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
CPH3351-TL-H ON Semiconductor SC-96 MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
CPH3350-TL-H ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 3A CPH3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:* 漏源极电压 ...

CPH3356-TL-H参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):137 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):250pF @ 10V
功率 - 最大值:1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别