| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSZ023N04LS |
Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 155 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSF N CH 40V 23A TSDSON-8 参考包装数量：1 参考包装形式：剪切带 (CT) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSZ035N03LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSZ035N03MSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 20000 | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSZ036NE2LS | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSZ019N03LS | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSZ018NE2LSI | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 8983 | MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSZ018NE2LS | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
