| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
BSZ035N03MSG |
Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 20000 | 询价QQ： |
|
| 简述：MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 参考包装数量：5000 参考包装形式：带卷 (TR) |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| BSZ036NE2LS | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSZ040N04LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSZ042N04NSG | Infineon Technologies | 8-PowerVDFN | 40832 | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| BSZ035N03LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSZ023N04LS | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 155 | MOSF N CH 40V 23A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSZ019N03LS | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
