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BSZ018NE2LSI

Infineon Technologies 8-PowerTDFN 8983
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简述:MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

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BSZ018NE2LSI参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):40A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.8 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):36nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2500pF @ 12V
功率 - 最大值:69W
安装类型:表面贴装

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