收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BSS87,115
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BSS87,115

NXP Semiconductors TO-243AA 5000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 200V 400MA SOT-89
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BSS87,115相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BSS87E6327 Infineon Technologies TO-243AA MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSS87E6327T Infineon Technologies TO-243AA MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSS87E6433 Infineon Technologies TO-243AA MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSS84W-7-F Diodes Inc SC-70,SOT-323 51000 MOSFET P-CH 50V 130MA SC70-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSS84W-7 Diodes Inc SC-70,SOT-323 MOSFET P-CH 50V 130MA SC70-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSS84V-7 Diodes Inc SOT-563,SOT-666 MOSFET P-CH DUAL SOT-563 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

BSS87,115参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):400mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3 欧姆 @ 400mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):120pF @ 25V
功率 - 最大值:1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别