收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BSS87E6327
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BSS87E6327

Infineon Technologies TO-243AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BSS87E6327相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BSS87E6327T Infineon Technologies TO-243AA MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSS87E6433 Infineon Technologies TO-243AA MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSS87L6327 Infineon Technologies TO-243AA 7000 MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSS87,115 NXP Semiconductors TO-243AA 5000 MOSFET N-CH 200V 400MA SOT-89 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BSS84W-7-F Diodes Inc SC-70,SOT-323 51000 MOSFET P-CH 50V 130MA SC70-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSS84W-7 Diodes Inc SC-70,SOT-323 MOSFET P-CH 50V 130MA SC70-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

BSS87E6327参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):240V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):260mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6 欧姆 @ 260mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 108µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):97pF @ 25V
功率 - 最大值:1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别