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BSS84V-7

Diodes Inc SOT-563,SOT-666
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简述:MOSFET P-CH DUAL SOT-563
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BSS84V-7相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BSS84W-7 Diodes Inc SC-70,SOT-323 MOSFET P-CH 50V 130MA SC70-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSS84W-7-F Diodes Inc SC-70,SOT-323 51000 MOSFET P-CH 50V 130MA SC70-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSS87,115 NXP Semiconductors TO-243AA 5000 MOSFET N-CH 200V 400MA SOT-89 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BSS84TC Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CHAN 50V SOT23-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BSS84TA Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 81000 MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BSS84PWL6327 Infineon Technologies SC-70,SOT-323 MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

BSS84V-7参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):50V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:130mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:10 欧姆 @ 100mA,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
输入电容 (Ciss) @ Vds:45pF @ 25V
功率 - 最大:150mW
安装类型:表面贴装

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