型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSS192PE6327T |
Infineon Technologies | TO-243AA | 询价QQ: |
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简述:MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89 参考包装数量:1000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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BSS192PL6327 | Infineon Technologies | TO-243AA | 17000 | MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
BSS205NH6327 | Infineon Technologies | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 8331 | MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
BSS205NL6327 | Infineon Technologies | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT-23 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
BSS192PE6327 | Infineon Technologies | TO-243AA | MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
BSS192,135 | NXP Semiconductors | TO-243AA | MOSFET P-CH 240V 200MA SOT-89 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
BSS192,115 | NXP Semiconductors | TO-243AA | 6000 | MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |