收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BSS205NL6327
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BSS205NL6327

Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT-23
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BSS205NL6327相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BSS209PW Infineon Technologies SC-70,SOT-323 MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSS209PWL6327 Infineon Technologies SC-70,SOT-323 MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSS214NH6327 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 4013 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSS205NH6327 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 8331 MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSS192PL6327 Infineon Technologies TO-243AA 17000 MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSS192PE6327T Infineon Technologies TO-243AA MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

BSS205NL6327参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):50 毫欧 @ 2.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 11µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):419pF @ 10V
功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别