| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
BSS192,115 |
NXP Semiconductors | TO-243AA | 6000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSS192,135 | NXP Semiconductors | TO-243AA | MOSFET P-CH 240V 200MA SOT-89 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSS192PE6327 | Infineon Technologies | TO-243AA | MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSS192PE6327T | Infineon Technologies | TO-243AA | MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSS169L6906 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 3000 | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... |
| BSS169L6327 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... | |
| BSS169H6327 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... |
