收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路 > BSP62,115
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BSP62,115

NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA 4000
询价QQ:
简述:TRANS PNP 80V 500MA SOT223
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BSP62,115相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BSP62E6327 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA TRANSISTOR DARL PNP 80V SOT-223 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 ...
BSP62H6327 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA TRANS PNP DARL 80V 1A SOT223 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 ...
BSP742R Infineon Technologies 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 10000 IC HIGH SIDE SWITCH SMART PDSO-8 类型:高端 输入类型:非反相 输出数:1 导通状态电阻:250 毫欧 电流 - ...
BSP61H6327 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA TRANS PNP DARL 60V 1A SOT223 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 ...
BSP61E6327 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA TRANSISTOR DARL PNP 60V SOT-223 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 ...
BSP615S2L Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

BSP62,115参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:PNP - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):80V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.3V @ 500µA,500mA
电流 - 集电极截止(最大):50nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):2000 @ 500mA,10V
功率 - 最大:1.25W
频率 - 转换:200MHz
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别