收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BSP615S2L
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BSP615S2L

Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BSP615S2L相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BSP61E6327 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA TRANSISTOR DARL PNP 60V SOT-223 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 ...
BSP61H6327 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA TRANS PNP DARL 60V 1A SOT223 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 ...
BSP62,115 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA 4000 TRANS PNP 80V 500MA SOT223 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 ...
BSP613PL6327 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA 6000 MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSP613P Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSP61,115 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA 1000 TRANS PNP 80V 500MA SOT223 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 ...

BSP615S2L参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):90 毫欧 @ 1.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 12µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):330pF @ 25V
功率 - 最大值:1.8W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别