| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSP61E6327 |
Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | 询价QQ： |
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| 简述：TRANSISTOR DARL PNP 60V SOT-223 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSP61H6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | TRANS PNP DARL 60V 1A SOT223 | 晶体管类型：PNP - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：1A 电压 ... | |
| BSP62,115 | NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | 4000 | TRANS PNP 80V 500MA SOT223 | 晶体管类型：PNP - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：1A 电压 ... |
| BSP62E6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | TRANSISTOR DARL PNP 80V SOT-223 | 晶体管类型：PNP - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：1A 电压 ... | |
| BSP615S2L | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSP613PL6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | 6000 | MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSP613P | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
