型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSP295E6327T |
Infineon Technologies | TO-261-4,TO-261AA | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 参考包装数量:1000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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BSP295L6327 | Infineon Technologies | TO-261-4,TO-261AA | 12000 | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
BSP296E6327 | Infineon Technologies | TO-261-4,TO-261AA | MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
BSP296E6433 | Infineon Technologies | TO-261-4,TO-261AA | MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
BSP295E6327 | Infineon Technologies | TO-261-4,TO-261AA | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
BSP254A,126 | NXP Semiconductors | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 | MOSFET P-CH 250V 200MA SOT54 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
BSP250,135 | NXP Semiconductors | TO-261-4,TO-261AA | 3934 | MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |