| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSP296E6327 |
Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSP296E6433 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSP296L6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSP296L6433 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | 4000 | MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSP295L6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | 12000 | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSP295E6327T | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSP295E6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
