| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSP254A,126 |
NXP Semiconductors | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET P-CH 250V 200MA SOT54 参考包装数量：2000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSP295E6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSP295E6327T | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSP295L6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | 12000 | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSP250,135 | NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | 3934 | MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSP250,115 | NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | 4000 | MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSP230,135 | NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET P-CH 300V 210MA SOT223 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
