| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSO220N03MDG |
Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH DUAL 30V 6A DSO-8 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSO220N03MSG | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 7A DSO-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSO300N03S | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 5.7A DSO-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSO301SP | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSO215C | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N+P 20V 3.7A 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| BSO211P | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL P-CH 20V 4.7A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSO207PH | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET 2P-CH 20V 5A DSO-8 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
