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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BSO220N03MSG
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BSO220N03MSG

Infineon Technologies 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閻戣姤鍊块柨鏇楀亾妞ゎ亜鍟村畷褰掝敋閸涱垰鏁搁梻渚€鈧偛鑻晶鎵磼鏉堛劌娴鐐存崌楠炴帒鈹戦崼婵囧€梻鍌欐祰椤曟牠宕归鐐村€块柨鏂垮⒔閻鏌熼悜妯荤厸闁稿鎹囬弫鎰償閳ヨ尙鍑规繝鐢靛仜閹冲繘鎮ч悩宸綎闁惧繗顫夊畷澶愭煏婵炲灝鍔滈柣婵勫灲濮婃椽鎮烽弶鎸庮唨闂佺懓鍤栭幏锟�0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 30V 7A DSO-8
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与BSO220N03MSG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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BSO301SP Infineon Technologies 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSO301SPH Infineon Technologies 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
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BSO220N03MSG参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):22 毫欧 @ 8.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):800pF @ 15V
功率 - 最大值:1.56W
安装类型:表面贴装

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