| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSO200N03S |
Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 30V 7A DSO-8 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSO200P03S | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 7.4A DSO-8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSO200P03SH | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 7.4A DSO-8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSO201SP | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSO200N03 | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CHAN 30V 6.6A DSO-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSO150N03MDG | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET 2N-CH 30V 8A DSO8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| BSO150N03 | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 18872 | MOSFET N-CHAN 30V 7.6A DSO-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
