| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
BSC900N20NS3G |
Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON 参考包装数量：5000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BS-COVER | MPD (Memory Protection Devices) | 0+285600 | PROTECT COVER FOR 9V SNAP TERM | ... | |
| BSD214SNH6327 | Infineon Technologies | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSD214SNL6327 | Infineon Technologies | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | 6901 | MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-363 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSC889N03MSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSC889N03LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 10000 | MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSC886N03LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 10000 | MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
