| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BS-COVER |
MPD (Memory Protection Devices) | 0+285600 | 询价QQ： |
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| 简述：PROTECT COVER FOR 9V SNAP TERM 参考包装数量：100 参考包装形式： |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSD214SNH6327 | Infineon Technologies | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSD214SNL6327 | Infineon Technologies | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | 6901 | MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-363 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSD223P | Infineon Technologies | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET 2P-CH 20V 390MA SOT363 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSC900N20NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| BSC889N03MSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSC889N03LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 10000 | MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
