| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
BSC886N03LSG |
Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 10000 | 询价QQ： |
|
| 简述：MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8 参考包装数量：5000 参考包装形式：带卷 (TR) |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| BSC889N03LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 10000 | MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSC889N03MSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSC900N20NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| BSC884N03MSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 30V 85A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSC883N03MSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 10000 | MOSFET N-CH 30V 98A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSC883N03LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 10000 | MOSFET N-CH 30V 98A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
