| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
BSC883N03LSG |
Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 10000 | 询价QQ： |
|
| 简述：MOSFET N-CH 30V 98A TDSON-8 参考包装数量：1 参考包装形式：剪切带 (CT) |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| BSC883N03MSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 10000 | MOSFET N-CH 30V 98A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSC884N03MSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 30V 85A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSC886N03LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 10000 | MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSC882N03MSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 10000 | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSC750N10NDG | Infineon Technologies | 8-PowerVDFN | 5000 | MOSFET N-CH 100V 13A TDSON-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
| BSC600N25NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
