| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSC160N10NS3G |
Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 100V 42A TDSON-8 参考包装数量：5000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSC16DN25NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSC190N12NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 7630 | MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| BSC190N15NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| BSC159N10LSFG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSC152N10NSFG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| BSC150N03LDG | Infineon Technologies | 8-PowerVDFN | 10000 | MOSFET N-CH 30V 20A TDSON-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
