收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BSC046N02KSG
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BSC046N02KSG

Infineon Technologies 8-PowerTDFN 15000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8
参考包装数量:5000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BSC046N02KSG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BSC047N08NS3G Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BSC048N025SG Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 25V 89A TDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSC050N03LSG Infineon Technologies 8-PowerTDFN 20000 MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSC042NE7NS3G Infineon Technologies 8-PowerTDFN 10000 MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BSC042N03ST Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSC042N03SG Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 95A TDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

BSC046N02KSG参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):80A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4.6 毫欧 @ 50A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 110µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4100pF @ 10V
功率 - 最大值:48W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别